众所周知，芯片的生产离不开光刻机，现在制约我国芯片发展的最大障碍，就是我们还无法攻克光刻机的研制。目前，世界上唯一能制造高端光刻机的公司，就是荷兰的ASML。但是，ASML也不是就能独立完成光刻机的制造，它可以说是集合了整个欧洲的尖端科技。但是，就在最近，美国方面传出了一个重磅消息，未来不用光刻机就能生产高端芯片。
麻省理工学院华裔科学家朱家迪率领的原子级晶体管研究团队于4月份取得了一项突破。传统半导体芯片的性能主要取决于多层晶体管的密集堆积，而朱家迪的研究团队创造性的采取了气象沉淀逐层堆叠生产工艺，该工艺理论上可以生产出1nm甚至以下制程的芯片。相比于传统的芯片制作工艺，目前只能生产4nm制程的芯片，1nm甚至以下制程的芯片，传统制作工艺想都不敢想。
据悉，之所以不需要光刻机，是因为麻省理工学院的专家们开发的气象沉淀逐层堆叠技术，该技术可以实现直接在完全制造的硅芯片上有效且高效的“生长出”金属二硫化物材料层，并精密的控制这些金属二硫化物的原子、分子的方向来制造晶体管，并实现晶体管更密集的集成性。据悉，这种新型的晶体管只有三个原子的厚度，因此堆叠起来可以制造成本更低、性能更加强大的芯片。
但是，这一项技术的难点在于如何将晶体管原材料直接“生长”到硅晶圆上。这是因为芯片的制造过程通常需要600摄氏度的高温，而晶体管和电路在温度超过400摄氏度时就会遭到破坏。这似乎是一个无解的问题，但是，在朱家迪带领的团队日夜攻坚之下，一种不会损坏芯片的低温“生长”工艺被开发出来。这种工艺允许将二维半导体工艺的晶体管直接集成在标准的硅电路之中，而且，运用这种工艺，可以显著减少生产这种材料所需的时间。据悉，只需要不到一个小时，就可以使8英寸的晶圆上遍布金属二硫化物材料层。
如果这项技术落地，对于芯片产业来说，带来的影响是划时代的。它意味着芯片的体积将进一步缩小，功耗进一步降低，成本也会跟着降低，更为重要的是，它打破了芯片制造领域的“摩尔定律”。但是，从另一个方面来说，我们与美国的技术差距也被进一步拉大了。虽然眼红，但是你不得不承认美国科研实力的强大，虽然在芯片产业，美国已经是“一览纵山小”的存在，但是它没有固步自封，反而是在继续寻求新的突破，这种永不满足的态度是值得我们学习的。
此次，一个华裔领导的科学团队取得的技术突破，证明在智力上，我们并不逊色于西方人种，只是我们起步晚、底子薄。我相信，只要我们不怕困难，不轻言放弃，我们国家自己的科学家团队也一定能在芯片制造上取得突破并打破欧美对我们的技术封锁。
