1、背景:通常SIM卡需要考虑受LTE发射射频信号的干扰,会使用10~33pf的电容来降低干扰影响,如链接推荐设计USB接口和SIM卡接口防静电使用的ESD器件要求有不同吗? ()
2、现象:在本次硬件设计中,主板和SIM卡小板采用了分离设计,在两块板上都做了防静电设计。SIM卡小板电路:
主板电路:
这样造成SIM卡的通讯信号上的负载电容偏大,信号波形异常,如CLK上升下降时间过长:
去掉SIM卡小板上的33pF电容后波形有改善,但SIM卡依然无法识别:
待去掉ESD管后通讯恢复正常:
3、措施:SIM卡小板上的33pF电容去掉,ESD换成结电容0.49pF的。