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TPS73533DRVR低压降线性稳压器 500mA低静态电流 低噪声 高PSRR

时间:2019-08-09 00:19:06

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TPS73533DRVR低压降线性稳压器 500mA低静态电流 低噪声 高PSRR

TPS735 500mA,低静态电流,低噪声,高PSRR

低压降线性稳压器单输出LDO

特性

FAE:13723714318

1•输入电压:2.7V至6.5V

•带EN引脚的500mA低压降稳压器

•低智商:45μA

•提供了多个输出电压版本:

1.2V至4.3V固定输出1.25V至6V可调输出

•高PSRR:1kHz频率下为68dB

•低噪声:13.2μVRMS

•快速启动时间:45μs

•使用陶瓷2.2μF低ESR输出电容器实现稳定运行

•出色的负载和线路瞬态响应

•2%的总体精度(负载,线路和温度,VOUT>

2.2V)

•极低的压降:500mA电流下为280mV

•2mm×2mm WSON-6和

3mm×3mm SON-8封装

品牌:TPS73533DRVR

型号;TI

封装:QFN6

包装:3000

年份:1822+

应用

•后直流/直流转换器纹波滤除

•IP网络摄像机

•大型基站

•恒温器

说明

TPS735低压降(LDO),低功耗线性稳压器可提供出色的交流性能以及极低的接地电流。可提供高电源抑制比

(PSRR),低噪声,快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应,同时消耗极低的45μA(典型值)接地电流。

TPS735器件与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定,并且该器件使用先进的BiCMOS制造工艺,能够在输出

500mA电流时产生280mV的典型压降电压.TPS735器件使用精密电压基准和反馈环路,可在全部负载,线

·,过程和温度变化范围内实现2%的总体精度(VOUT

2.2V)。此器件的额定TJ = -40°C至+ 125°C,采用

薄型3mm×3mm SON-8封装和2mm×2mm

WSON-6封装

低压差(LDO)稳压器TPS735结合了射频(RF)所需的高性能

和超低电流消耗的精密模拟应用。 高增益提供高PSRR,

高带宽误差环路,具有良好的电源抑制和极低的裕量(VIN - VOUT)。 固定电压版本

提供降噪引脚,以绕过带隙基准产生的噪声并提高PSRR。

快速启动电路在启动时对该电容器进行快速充电。 高性能和低地面的结合

目前,TPS735器件专为便携式应用而设计。 所有版本都具有散热和过流功能

保护,额定温度范围为-40°C≤TJ≤+ 125°C。

FAE: 13723714318

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