文/惬意（原创文章，欢迎大家转载分享）再怎么风光明媚的自家山川，总有看腻的时候，不论何等荣华的身份，也会有想更换的念头。
众所周知，光刻机被誉为“世界半导体工业皇冠的明珠”，具有决定科技行业的走势的作用。然而，光刻机的问题一直以来都是我国半导体行业的“心病”，截至目前，我国最先进的光刻机的精度仅为90nm，与西方国家最新的7nmEUV光刻机相比，这显然是远远不够的。
正因为中国在芯片制造领域一直处于追赶者的状态，才会对芯片行业如此重视，前前后后投入了大量的资金和技术，力求中国在芯片制造行业从低端向高端升级。就在不久之前，中国芯传来捷报，5nm光刻技术获得突破，比肩ASML指日可待，真可谓是：厉害了我的国！
想必大家对于此事略有耳闻，近期中科院再立新功，中国芯片技术再次“突围”，打破欧美技术封锁，在5nm光刻技术上取得重大进展。若是一切都进展得很顺利，随着技术的不断完善，我国或将直接从28nm光刻机工艺大步跨过10nm和7nm工艺，直接生产出5nm最顶尖的光刻机工艺。
与此同时，中国芯片专家们还开发成功新型5nm超高精度激光光刻加工方法，打破了传统激光直写技术中受体材料为有机光刻胶的限制，可使用多种受体材料，扩展了激光直写的应用场景。此次中国研究团队很好地解决了效率和高精度之间的固有矛盾，开发的新型微纳加工技术在集成电路、光子芯片、微机电系统等众多微纳加工领域展现了广阔的应用前景。
事实上，在中国光刻机技术迟迟难以突破这一问题上，不少专业人士给出了明确答案，第一：局限于激光光刻加工方法；第二：各种零部件的桎梏。如今中科院成功研制出5nm光刻技术确实值得肯定，在一定程度上加强了芯片研究者的信心，为了中国芯是有可能比肩ASML指日可待。虽说中国5nm光刻技术取得成功是一件好事，但我们不能因此得出“中国已经弯道超车ASML”的结论。
据了解，目前中科院的5nm激光光刻技术仅局限于实验室小规模小批量的进行实验，不论是光刻的面积还是光刻的速度，都要比目前工业应用的光刻机弱很多，想要实现大规模批量的生产，要等到这项技术必须完全成熟了才有可能实现。至于这种5nm激光光刻技术什么时候能够实现量产，就不得而知了。
但是据专业人士表示，从光刻机研发的历史以及技术的晋级难度来看，这种光刻技术想要实现量产，至少需要5年时间以上甚至更长。不过，这也不是一件坏事，只有认清现实，才能更好地脚踏实地。相信在国家和业内人士的共同努力下，中国芯片会迎来更大的突破，既可以实现半导体的自主研发，这项技术突破也是我国比肩ASML公司指日可待。
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