EETOP专注芯片、微电子，点击上方蓝字关注我们
高校福利：NI远程实验教学平台免费名额开放申请
近日，台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情，其晶体管密度达到了破天荒的2.5亿/mm²！
作为参考，采用台积电7nm EUV工艺的麒麟990 5G尺寸113.31mm²，晶体管密度103亿，平均下来是0.9亿/mm²，3nm工艺晶体管密度是7nm的3.6倍。这个密度形象化比喻一下，就是将奔腾4处理器缩小到针头大小。
性能提升上，台积电5nm较7nm性能提升15%，能耗提升30%，而3nm较5nm性能提升7%，能耗提升15%。
此外台积电还表示，3nm工艺研发符合预期，并没有受到疫情影响，预计在进入风险试产阶段，下半年量产。3nm制程是半导体产业历年最大手笔投资，更是龙头争霸的关键战役。据了解，台积电3nm工艺总投资高达1.5万亿新台币，约合500亿美元，光是建厂就至少200亿美元了。
工艺上，台积电评估多种选择后认为现行的FinFET工艺在成本及能效上更佳，所以3nm首发依然会是FinFET晶体管技术。
作为台积电的主要竞争对手，三星追赶台积电的企图一直没有停过，三星在14纳米制程大幅落后台积电后，随后的10nm、7nm制程更被台积电大幅领先，三星因而跳过5nm，直接决战3nm制程，技术选择都很激进，将会淘汰FinFET晶体管直接使用GAA环绕栅极晶体管。计划在2030年前投资1160亿美元，希望超越台积电成为全球第一大晶圆代工厂。
高校福利：NI远程实验教学平台免费名额开放申请！远程实境实验线上同步演示即将开始！为响应教育部“停课不停学”的号召，全国各高校都在积极探索在线教学的创新方式。NI同高校加速开发面向跨学科的远程教学解决方案，为了能够让更多高校受益，特邀杭州电子科技大学-陈龙教授、上海科技大学-刘闯老师，为各位老师远程演示实验教学方案，并在疫情期间继续开放免费使用的名额。参与本次直播，您将有机会现场免费注册体验远程教学平台，不要错过哦！精彩议题
参与方式
点底部阅读原文，或长按识别下方二维码，有机会参加现场抽奖。
快速报名通道
