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近年来，我国集成电路产业发展取得长足进步，集成电路产业销售额为3015.4亿元，中国市场规模达到10393亿元，约占全球市场份额的50%。但是制约产业发展的问题和瓶颈仍然突出，主要表现在：一是产业创新要素积累不足。领军人才匮乏，企业技术和管理团队不稳定；企业小散弱，500多家集成电路设计企业收入仅约是美国高通公司的60-70%，全行业研发投入不足英特尔一家公司。产业核心专利少，知识产权布局结构问题突出。二是内需市场优势发挥不足。芯片设计与快速变化的市场需求结合不紧密，难以进入整机领域中高端市场。三是“芯片-软件-整机-系统-信息服务”产业链协同格局尚未形成。芯片设计企业的高端产品大部分在境外制造，没有与国内集成电路制造企业形成协作发展模式。制造企业量产技术落后国际主流两代，关键装备、材料基本依赖进口。
在芯片国产化需求迫在眉睫的背景下，9月，国务院发布《国家集成电路产业发展推进纲要》，提出要设立国家产业投资基金。9月24日，国家财政部、国开金融、中国烟草、亦庄国投、中国移动、上海国盛、中国电子、中国电科、华芯投资等共同发起“国家集成电路产业投资基金”。目前，国家集成电路产业投资基金（.09-.05）已经投资完毕，共募得普通股987.2亿元，同时发行优先股400亿元，总投资额为1387亿元（相比于原先计划的1200亿元超募15.6%），公开投资公司为23家，累计有效投资项目达到70个左右，投资范围涵盖集成电路产业上、中、下游各个环节。基金唯一管理人为华芯投资管理有限责任公司，托管行为国家开发银行。
投资领域全产业链覆盖
大基金一期投资项目中，集成电路制造占67%，设计占17%，封测占10%，装备材料类占6%。可以看出，大基金一期的第一着力点是制造领域，首先解决国内代工产能不足、晶圆制造技术落后等问题，投资方向集中于存储器和先进工艺生产线，投资于产业链环节前三位企业比重达70%。
投资策略以“直接股权投资+与地方基金、社会资本联动”
大基金的投资方式主要有两种：一种是直接股权投资，包括跨境并购、定增、协议转让、增资、合资等多种方式优化企业股权结构，提高企业效率和管理水平；另一种是与地方基金、社会资本联动，参股子基金。其中，直接股权投资为主要投资方式。
大基金的投资策略非常明确：（1）不做风险投资；（2）重点投资每个产业链环节中的骨干企业；（3）与龙头企业在资本层面合作；（4）提前设计退出通道。这样的投资策略使得大基金既达到支持骨干企业突破关键技术的目的，也保障了资金的安全和一定的收益以实现可持续发展。
以晶圆制造为例，先进工艺制造方面，大基金重点投资了中芯国际（合计投资近160亿元）和上海华虹（投资华虹无锡12英寸厂近9.22亿美元）；存储器制造方面，大基金与湖北省、紫光集团集中投资了长江存储NAND Flash项目（投资近190亿元），这也是大基金单笔最大投资；特色工艺制造方面，大基金主要投资了杭州士兰微；化合物半导体制造方面，主要投资了三安光电（投资近90亿元），推动其向化合物半导体转型。在封装测试领域，投资了长电科技、通富微电和华天科技等行业排名前三的企业。在设计领域，投资了紫光展锐、中兴微电子等龙头骨干企业，以及耐威科技、国科微电子、盛科网络等细分领域龙头。在装备领域，投资了北方微电子和中微半导体，并推进北方微电子与七星电子整合，组成北方华创，从规模上看，北方华创已成为国内规模最大的半导体装备企业。在材料领域，投资了上海硅产业集团，在大硅片领域进行布局；投资了江苏鑫华，布局电子级多晶硅材料；投资了安集微电子，促进抛光液的发展等。
参股子基金方面，大基金参股的地方基金包括北京集成电路制造和装备子基金、上海集成电路制造子基金、上海集成电路设计与并购子基金；大基金还与大型龙头企业共同设立投资基金，如大基金与京东方设立芯动能基金、与中芯国际设立中芯聚源基金、与三安光电设立安芯基金。目前，已经成立或宣布设立的地方集成电路产业发展基金的目标规模合计已达3000亿元。
与被投企业实现“双赢”
在大基金的资金及资源的双重因素助推下，被投企业加速发展，大基金账面投资回报也非常可观。在大基金的支持下，长电科技成功收购星科金朋，通富微电顺利收购AMD苏州及槟城封测厂，北京七星华创与北方微电子整合，组建上海硅产业集团。
在被投企业中，IC设计企业部分进入16/14nm工艺，中芯国际28nm先进制造工艺进入量产，展讯科技进入全球十大设计公司行列。
通过整合，形成了中微半导体和北方华创两大设备企业集团，中微半导体刻蚀设备进入跨国企业芯片生产线。通过国际并购，长电科技、通富微电获得国际先进封装技术和产能，长电科技跃居封测行业全球第三。
在大基金的引导下，紫光展锐、中兴微等设计企业加强与中芯国际等芯片制造企业的合作，中芯国际本土客户营收占比从的不足20%上升至目前约50%，中微半导体的CCP等离子刻蚀机在中芯国际40nm和28nm生产线占有率分别达到50%和30%，在上海华力生产线达到35%，上海硅产业的12寸硅片测试片已经向中芯国际、华力和长江存储送样。大基金作为产业链各环节已投资公司的主要股东，协力推动上下游企业间加强合作，与国家科技重大专项、专项建设基金协同支持集成电路及项目，形成了突出的协同效应和带动效应。
1.晶圆制造领域成果
在晶圆制造领域，大基金重点投资企业是中芯国际和华虹宏力，目标是培育存储器IDM企业；依托骨干企业，加快32/28nm工艺产能建设。
中芯国际：
5月、8月，大基金一期先后增资入股中芯北方集成电路制造（北京）有限公司，持股32%。中芯北方是12寸先进制程集成电路制造厂，目前具备两座月产3.5万片的300mm晶圆厂，第一座晶圆厂主要生产40nm和28nmPolysion工艺产品；第二座晶圆厂具备28纳米HKMG工艺及更高技术水平（厂房在建中）。完全达产后，中芯北方将与中芯国际北京厂一起成为国内集成电路制造的重要生产基地。
1月，大基金增资入股中芯南方，持股比例为27%。中芯南方专注14nm以下工艺和制造技术，目标月产能达3.5万片。
华虹集团：
12月，大基金投资华力二期12英寸集成电路生产线，项目总投资387亿元，预计月产能4万片。
1月，大基金增资入股华虹无锡。华虹无锡将新建一条工艺等级90-65nm的12英寸特色工艺集成电路生产线，月产能约4万片。
2.特色工艺领域成果
在特色工艺领域，大基金目标是加快8英寸特色工艺生产线建设，建设高压、射频、MEMS芯片等工艺平台；提升化合物半导体工艺制造水平。
大基金一期投资的特色工艺项目如下：
长江存储：
，大基金出资成立长江存储。长江存储专注于3D NAND技术和生产，年底成功研发32层3D NAND Flash芯片，实现量产。
耐威科技：
2月，大基金增资入股耐威科技，持股比例为13.75%。募集资金投资8英寸MEMS国际代工线建设项目。纳微硒磊承诺代工线下半年可建成投产，月产能达3万片，年产值不低于20亿元，平均年利润不低于3.47亿元。
三安光电：
大基金投入16亿元用于通讯微电子器件项目，预计形成每年30万片GaAs外延片和6万片GaN外延片、36万片通讯用芯片，填补国内空白。
3.晶圆封装领域成果
封测领域，大基金促进行业资源整合，提高先进封测产能比重，助力封测企业成功完成并购。
长电科技：
，长电科技收购星科金朋，获得在韩国、新加披多个工厂和全部先进技术，成为世界第三大封装企业，跻身世界第一集团。
通富微电：
通富微电收购AMD苏州和AMD槟城两家工厂，在全球封测市场的市场占有率为3.3%，排名全球第七。
4.设备材料领域成果
材料领域，大基金积极推动硅材料向12英寸生产线推广应用，开展在光刻胶、化学品、电子气体、靶材等领域的选点布局，形成相关资源整合的平台。
上海新昇半导体：
上海新昇是国内少见的12英寸大硅片生产商，底月产能达到10万片，底将实现月产能30万片的目标。
设备领域，大基金主要的投资项目有中微半导体、北方华创、长川科技和沈阳拓荆。目前，中微半导体的芯片介质刻蚀设备已经打入台积电7纳米制程生产线，28英寸第二代MOCVD设备全面取代国外设备；北方华创的清洗设备进入中芯北方28nm生产线，氧化扩散设备进入长江存储生产线，并已经批量应用于中芯国际、上海华力芯片生产线。
5. 国内半导体产业发展情况
根据《国家集成电路产业发展推进纲要》，我国集成电路产业销售收入目标为3500亿元，我国集成电路销售额达到3610亿元，同比增长19.7%，成功完成目标。-维持了20%以上的增速。我国集成电路产业增长率自以来均高于全球半导体市场增速，发展态势良好。
我国集成电路产业保持快速发展势头：
，全球半导体市场规模4779.4亿美元，到的复合增长率是7.3%，而我国集成电路产业销售额为6532亿元，-复合增长率为20.3%，是全球的近三倍。
从产业结构来看，我国集成电路设计业销售收入2519.3亿元，所占比重从的35%增加到38%；制造业销售收入1818.2亿元，所占比重从23%增加到28%；封测业销售收入2193.9亿元，比重从42%下降到34%。
资本支出是预测未来半导体产业景气程度的预警指标，全球前3大半导体厂商（三星、英特尔、台积电）中，三星的资本支出高达250亿美金，前五大厂商占全全部资本支出的65%左右。大额的资本支出使得半导体巨头的工艺发展速度非常快，保持了自身的核心竞争力。，中国半导体资本支出不到欧洲、日本总和的四分之一，，中国已经超过了欧洲和日本的总和。随着资本投入的上升，芯片制造生产总值也在不断提升。可以看到，中国半导体产业的投资速度在增长，产业正在转移。
，中国芯片进口额达3120亿美金，连续六年超过2000亿美元，同期出口846亿美元，逆差高达2274亿美元。我国芯片自主提供比例很低，在很多领域接近0%。巨大的市场和国产化的迫切需求，带来中国半导体行业未来的成长机会。
目前我国先进设计水平达7nm，存储器工艺实现突破，14nm逻辑工艺即将量产，但与国外仍有两代差距。集成电路产业规模不断壮大，产业结构趋于优化。
预计全球半导体市场增长速度将大幅下降至2.6%，市场规模为4901.4亿美元。从产品结构看，细分产品增长率都下降到个位数，特别是存储器将从61.5%的大幅增长转变为的负增长。以来由于多家存储器大厂调整产线结构，以及新建产线的逐步量产和产能释放，存储器市场的供需关系将会逐渐趋于合理。在全球贸易环境复杂度增大和市场增长放缓的影响下，国内的增长率也将同比下降，预计产业规模为7764.4亿元，同比增长18.1%，其中设计业增速仍将保持在20%以上，制造业主要由英特尔二期、台积电南京工厂等外资企业生产线继续贡献发展动能，一批新建生产线的建成投产也将进一步拉动产值增长。
传统市场带动乏力，新兴应用尚未对产业形成有效支撑
在PC端市场，国内传统PC出货量预计达到3850万台，同比下滑1.7%；在移动端市场，1-10月，国内手机市场出货量3.43亿部，同比下降15.3%，而根据IDC预计全年中国智能手机出货量将下滑6.3%。智能手机、PC等成熟市场驱动不足。
另一方面，人工智能、5G、智能网联汽车等新兴应用市场尚未兴起。预计国内市场增长率将同比下降。
底前英特尔全新一代CPU芯片实现量产、5G正式商用等带来的市场红利预计将在释放，有望提振持续低迷、增长乏力的传统应用市场。
先进工艺和存储器技术有望实现突破
，我国中芯国际实现16/14nm工艺小规模量产，缩短与国外差距，长江存储、合肥长鑫和福建晋华也实现存储器工艺突破，在做量产前准备。封测方面，扇出型封装等高端封装技术竞争激烈。台积电、日月光等仍为技术引领龙头，国内长电科技、通富微电、华天科技等企业也在积极扩产加快部署。我国领先设计企业将共享集成电路代工技术进步红利，逐步缩小与国外先进水平的差距，中芯国际将加快14nm及以下工艺的技术追赶步伐。长江存储、合肥长鑫等将分别实现NAND和DRAM产品的量产，实现我国自主品牌存储器产品重大突破。
国内集成电路产业投资热度不减
，科创板的设立有助于推动集成电路企业上市融资，大基金二期的正式设立将进一步吸引社会资本投资半导体行业，在国家政策的推动下，国内投融资有望保持景气。
国家集成电路产业基金一期成功推动了我国集成电路产业的发展，投资工作进入尾声，工作重心将转向投后管理。按照国家实现国内芯片自给率40%、2025年达到70%的目标，大基金后续必将持续进行投入。预计基金二期规模有望达到2000亿元，将提高对设计业的投资比例，并围绕国家战略和新兴行业进行投资规划，如人工智能、物联网、5G等，并对装备材料业给予支持。
他山之石——海外产业投资基金的成就
半导体产业作为高新技术产业，具有明显的学习效应、外部经济和规模报酬递增效应，其战略特征决定了其市场是寡头垄断的，并且仅靠市场机制来解决产业发展中的问题是不现实的，一国有必要对半导体产业的发展进行扶持和保护，其中一种方式就是政府引导基金的设立。产业投资基金初创于20世纪40年代的美国， 在美国历史上取得了巨大的成就，之后，英国、日本、韩国、以色列等国家纷纷效仿，设立政府引导的风险投资基金，促进了本国的科技创新。产业投资资金初期主要表现为高科技投资和创新型企业风险投资，对于促使高新技术企业涌现、为市场经济注入新的活力具有重要意义。
美国——SBIC与政府采购
发达的风险投资是美国信息产业和信息科技飞跃发展的巨大动力。1958年，美国出台《小企业法案》，成立了SBIC（小企业投资公司基金），开创了政府支持创业投资引导基金先河。SBIC是美国推动产业投资基金投资创新型企业的主要形式，由SBA（美国小企业局）设立，是许多支政策性基金的组合，所有政策性基金均有私人企业所有和管理，实行市场化运作。投资方式以债权投资为主，以股权投资为辅，投资方向限制在有关法律规定的小企业。
SBA负责前期行政审批基金，对符合申请条件的基金发放许可牌照，并将其纳入 SBIC 计划管理并提供资金支持；同时，SBA负责SBIC计划的后期监督管理，保证基金使用符合规定，指导基金投入特定领域。，SBA可通过两种方式为SBIC 提供资金，一种方式是债权担保融资，SBIC 发行的长期债券，并由SBA 为其提供债权担保。这种方式可使SBIC获得最高三倍的资金；另一种方式是股权担保融资，即SBA可以购买SBIC发行的证券，使SBIC获得最高两倍的资金。。符合条件的私人投资基金可以向SBA投资部门提出申请，得到 SBA 投资部门认可和SBA保证函，成为一支SBIC基金。以五个财年为周期，SBIC 可以根据保证函向SBA申请配套资金，配套资金一般为基金总额的 2-3 倍。
1992年，以短期优惠贷款方式支持小企业投资公司的方式改成了由政府担保其到公开市场发行长期债券方式支持小企业投资公司，实质上是一种融资担保模式。
SBIC通过引入财政资金并以市场化机制进行运作，投资于初创期或盈利能力较弱的科技型小企业。同时，通过与资本市场其他功能机构进行合作，充分发挥财政资金的带动效应和集聚效应，有效整合资源，推动高新技术产业发展。该计划提高了美国创业资本的可获得性，尤其促进了规模偏小的企业以及尚未表现出迅猛发展势头企业的发展。截至9 月，SBIC下共有294支基金，其中SBA 出资 107 亿美元，私人资本出资118亿美元。其中，债权投资占64%(长期贷款等)，股权投资占17%，股权性质的债权投资占19%。平均每笔投资 240 万美元。每支SBIC运作周期至少为10 年，通常 为 10-15 年。对于运作 10 年后且偿还完全部 SBA 担保借贷的资本，这支 SBIC 可以选择退出或再次 设立基金。 年 - 年，SBIC 累计投资 170 亿美元，累计投资超过 5900 个中小型企业，其中 22%的企业属于低收入或中等收入企业。截至 年 6 月，SBIC 计划累计投资 16.6 万个小企业创新项目，累计投资 670 亿美元，培育出苹果、Intel等创新性企业。
第一季度，全球15大半导体厂商中，美国占据8席；，北美地区半导体厂商合计占据全球半导体市场49%的份额。美国半导体领域霸主地位的维持离不开美国政府对集成电路产业的政策、资金及人才支持。首先，美国军事采购和研发政策保证了创新技术所需的启动市场。二战以前，美国军方就有为科研提供资金的传统，国家科学基金（NSF）每年提供约70亿美元用于支持高校的基础物理科学和数学研究，国防部先进研究项目局（DARPA）则为企业具有军用潜力的研究提供支持。美国政府除了提供资金支持研发，还扮演了重要的采购方角色，国防和航空航天研究为半导体产业提供了巨大的市场和应用场景，庞大的政府需求促进了大量新厂商的进入，保证了中小企业以较低成本获得先进技术，加速了集成电路向非军用品市场的渗透。
20世纪80年代起，美国政府增加R&D经费补贴，加大对教育和培训的投入，改善高技术产业的投资环境，加大专利保护，1993年，美国再次成为世界头号半导体出口国。
以色列——YOZMA基金
1993，年以色列政府拨款1亿美元出资设立国有独资的YOZMA基金，该基金定位为“母基金”。创立起初，以色列主要通过吸引境外风投基金管理公司加盟，共同设立了10个小型风险投资自己进，运作模式是“政府资本+民间资本+海外资本”，是三者相互融合的股权投资基金。政府作为有限合伙人没有投资决策权，以确保基金的市场化运作。
YOZMA基金在进行投资时，基金采用参股形式进入子基金，通过杠杆作用撬动更多资金投入其中，以有限合伙的形式进行运作，保证了基金的市场化运作。基金投资方向明确，选择了通信、IT等流行产业，体现政府产业导向，推动了以色列高新技术发展。
1998年以色列累计有90家以上的创业投资基金投资于高科技产业，基金规模达到35亿美元。1997年，以色列有22个企业在美国上市，3个在欧洲上市，以色列政府通过YOAMA私有化方式实现逐渐退出，政府退出取得的收益远大于1亿美元，筹资额占到当年本国GDP2.7%。
YOZMA基金的成功运作有效培育了民间创业风险投资。到2002年，以色列共有创业风险投资基金131个，总资本100亿美元；基金激励了业绩优良的国际团队到以色列兴办创业风险投资基金，其人才、知识、经验扩散效果十分显著。“YOZMA计划”成功打造了“第二个硅谷”，使以色列这个资源小国跃升为全球科研领域发达国家。
在以色列产业投资基金发展过程中，政府引导作用尤其突出。政府并不参与产业投资基金的管理，而是在相应领域发展中发挥引导作用，赋予社会资本自由的管理权力，提升资金利用效率，以较低的资本回报资金投入到产业投资基金中，获得了较好的社会资本收益，并吸引更多的社会资本加入其中。
3.韩国——“政府+大财团”
在韩国半导体产业发展过程中，韩国政府对于产业的支持力度非常强，不仅注重研发投入，还进行产出后保护。1975年，韩国政府公布扶持半导体产业的六年计划，强调实现电子配件及半导体生产的本土化，1986年韩国政府通过资本金投入的方式对创业投资提供其注册资本的5%-10%的资本，1990年，以借贷方式对处于创业期的高新技术小企业提供资金支持。从研发投入来看，1980年时半导体领域研发投入约为850亿美元，1994年增长至9亿美元，专利技术从1989年底708项上升到1994年的3336项。，韩国政府以1万亿韩元成立产业投资母基金，并专门成立韩国风险投资公司KVIC，以市场化方式管理运营母基金。
韩国的产业结构升级取得了令人瞩目的成就，之后，韩国在半导体、电子、精细化工、光电等领域均达到世界前列。1984年，三星电子成立现代化芯片工厂用于批量生产64K DRAM，此后三星在DRAM上不断投入，韩国政府也全力配合。韩国电子通信研究所牵头，联合三星，LG，现代与韩国六所大学一起对4M DRAM进行技术攻关。该项目持续3年，研发费用达1.1亿美元，韩国政府承担了57%。1983年至1987年间，韩国政府投入3.46亿美元贷款，激发20亿美元的私人投资，大力促进了韩国半导体产业发展。三星在1992年开发出世界上第一个64M DRAM，超过日本NEC，成为世界第一大DRAM制造商。
在韩国半导体产业进入全球半导体产业第一梯队后，韩国不仅通过“BK21”和“BK21+”等计划对大学、专业研究所进行专项支援，并且在推出半导体希望基金，旨在聚焦新技术的开发。
结合域外经验来看，产业投资基金发展是推动产业机构优化升级的必然选择。尤其对于集成电路企业这样的高新企业，产业基金和产业的融合有助于实现金融和科技相互促进，不仅为产业发展起到支持，外部环境和配套制度也得到完善。
半导体行业属于资金、技术、设备密集型行业，进入门槛较高，随着产业链转移与并购整合加剧，市场份额逐渐集中到有技术优势的企业。集成电路企业对资金的需求主要集中在：扩充产能、并购整合以及研发投入。长期的持续研发投入是维持企业核心竞争力的保障，而并购能够扩充产品线，加强协同作用，提高市占率。
鉴于半导体产业的战略地位，政府不可能放任自流。起步期，政府通过政府采购、关税保护为半导体提供最初的启动市场；在成长期，政府加强专利保护、提供R&D补贴以推动技术跃进；在成熟期，政府通过援助、谈判等手段促进半导体出口以扩大市场份额。政府的战略扶持对于半导体发展有着极为重要的意义。
目前，首期大基金已经成立5年，即将转入投后管理阶段。预期国家仍将加大对产业的扶持力度。在国产化替代需求迫切和下游市场需求旺盛的背景下，国内各环节龙头有望迎来广阔市场前景。
